alias: 光敏度,抗刻蚀能力,热稳定性,稳定性,热敏性

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光敏度

光刻胶的光敏度是指完成所需图形曝光的最小曝光剂量。

对于光化学反应，光敏度是由曝光效率（参与光刻胶曝光的光子能量与进入光刻胶中的光子能量的比值）决定的。通常正胶比负胶有更高的曝光效率，因此正胶的光敏度也就比较大，提高光敏度可以减小曝光时间。

实际工艺中对光刻胶光敏度是有限制的。如果光刻胶的光敏度过高，室温下就可能发生热反应，这将使光刻胶的存储时间减少。此外，对光敏度高的正胶曝光时，每个像素点只需要得到少量的光子就可以完成曝光。而每个像素点上接收到的光子数受统计涨落影响，这就将对均匀曝光产生影响。

光刻胶的抗刻蚀能力是指在图形转移的过程中，光刻胶抵抗刻蚀的能力。

通常光刻胶对湿法刻蚀有比较好的抗刻蚀能力。

对于大部分的干法刻蚀，光刻胶的抗刻蚀能力比较差。DQN正胶对干法刻蚀有比较好的抗刻蚀能力，但光敏度会降低。

可以针对刻蚀中使用的刻蚀剂来改进光刻胶的抗刻蚀能力，对于氯化物的刻蚀剂可以在光刻胶中添加氟化物来加强抗蚀能力。

大部分X射线和电子束光刻胶抗干法刻蚀的能力比光学光刻胶还差。

通常干法刻蚀的工作温度比湿法腐蚀要高，这就要求光刻胶能够保证在工作温度下的热稳定。一般光刻胶需要能够经受200℃以上的工作温度。