集成电路工艺制造
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A=LOCOS
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2025-01-08 08:56:59
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date: 2022-07-23 19:00
类型: 概念笔记
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小知识
DRAM 原理 5 ：DRAM Devices Organization
DRAM 原理 4 ：DRAM Timing
DRAM 原理 3 ：DRAM Device
DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization
DRAM 原理 1 ：DRAM Storage Cell
晶圆测试
代工厂
常用缩写
A=芯片结构
材料
A=材料=介电层
A=材料=W
A=材料=TiN
A=材料=SiO2
A=材料=SiN
A=材料=SiGe
A=材料=Si
A=材料=poly
A=材料=Cu
A=材料=Al
概念
热积存
A=栅结构
A=阈值电压
A=有源区
A=闩锁效应
A=能带理论
A=互连技术
A=隔离技术
A=场区
A=pn结
A=LOCOS
工艺
Via1, Plug1 及 Metal1 互连的形成
源漏注入工艺
轻掺杂漏(LDD)注入工艺
浅槽隔离
局部互连工艺
接触孔形成工艺
侧墙的形成
半导体中的各种现象和效应
LOCOS
ET
A=工艺=蚀刻
A=ET=湿法刻蚀
A=ET=刻蚀速率
A=ET=灰化
A=ET=干法刻蚀
A=ET=ULSI对图形转移的要求
PH
A=工艺=黄光
A=PH=紫外线曝光工艺
A=PH=掩膜板
A=PH=抗反射涂层工艺
A=PH=黄光工艺步骤
A=PH=光刻胶的黏着力
A=PH=光刻胶的光敏度和稳定性
A=PH=光刻胶的对比度
A=PH=光刻胶
A=PH=光刻分辨率
A=PH=多层光刻胶工艺
A=PH=电子束直写式曝光
A=PH=X射线曝光
A=PH=ULSI对光刻的基本要求
TF
A=工艺=薄膜
A=TF=AP-CVD
A=TF=CVD
A=TF=LP-CVD
A=TF=PE-CVD
A=TF=PVD
A=双极型集成电路制造工艺
A=平均自由程
A=工艺=离子植入
A=工艺=扩散
A=工艺=CMP
A=Salicide
A=CMOS简单工艺
A=alloy
书籍
半导体制程技术导论 第10章
半导体制程技术导论 第11章 金属化工艺
图解半导体制程概论（七）
图解半导体制程概论（六）
图解半导体制程概论（一）
图解半导体制程概论（三）
图解半导体制程概论（二）
图解半导体制程概论（四）
图解半导体制程概论（五）
图解半导体制程概论 半导体专业术语表：中英文 %26 缩写
看懂芯片原来这么简单（漫画版）
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