alias: spacer,side wall

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为了防止大剂量的源漏注入过于接近沟道，从而导致沟道过短甚至源漏连通，在 CMOS 的 LDD 注入之后要在多晶硅栅的两侧形成侧墙。侧墙的形成主要有两步：

  1. 在薄膜区利用化学气相淀积设备淀积一层二氧化硅。
  2. 然后利用干法刻蚀工艺刻掉这层二氧化硅。

由于所用的各向异性，刻蚀工具使用离子溅射掉了绝大部分的二氧化硅，当多晶硅露出来之后即可停止反刻，但这时并不是所有的二氧化硅都除去了，多晶硅的侧墙上保留了一部分二氧化硅。这一步是不需要掩膜。

侧墙的形成 - 图1

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