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  1. 淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧化层；
  2. 淀积Ti或Co等难熔金属
  3. RTP并选择腐蚀侧壁氧化层上的金属；
  4. 最后形成Salicide结构

![[Salicide工艺 image 1.png]]