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在侧墙形成后，需要进行的就是源 / 漏注入工艺。

先要进行的是 n + 源 / 漏注入，光刻出 n 型晶体管区域后，进行中等剂量的注入，其深度大于 LDD 的结深，且二氧化硅构成的侧墙阻止了砷杂质进入狭窄的沟道区。

接下来进行 P + 源 / 漏注入，在光刻出了要进行注入的 P 型晶体管区域后，同样进行中等剂量注入，形成的结深比 LDD 形成的结深略大，侧墙起了同样的阻挡作用。

注入后的硅片在快速退火装置中退火，在高温状态下，对于阻止结构的扩展以及控制源 / 漏区杂质的扩散都非常重要。

n + 源 / 漏注入

p + 源 / 漏注入