alias: copper,Cu

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Cu连线工艺有望从根本上解决该问题,IBM、Motorola等已经开发成功
目前，互连线已经占到芯片总面积的70～80%；且连线的宽度越来越窄，电流密度迅速增加

铜互连：

随着ULSI规模的扩大，在0.18微米特征尺寸以下，器件之间的引线延迟会超过晶体管本身的延迟。此外，噪声、功率耗散和电迁移等问题也为将铜互连和低K介质的应用提到日程上来。

Cu：电阻率低、抗电迁移强，130nm以下使用

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优点——铜比铝电阻率低40％
缺点——不好腐蚀、容易氧化、快扩散杂质易引起漂移和漏电。
刻蚀困难——只能采用Damance电镀工艺
与硅和SiO2反应
粘附性差
需要阻挡层，WN， Ta， TaN……

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铜互连基本工艺

1）刻蚀沟槽和通孔，在布线的地方挖好沟道

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2）阻挡层和种子层淀积，阻挡铜的扩散，提高结合力：Ti, TiN, Ta, TaN, W, WN

Cu 种籽层： 500 ~ 2000 Å(PVD)，电镀成核位置

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3）电镀铜，Bottom up生长方式

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镀铜填充的基本原理

抑制剂 S ：抑制铜的生长，主要在TSV孔表面与侧壁吸附

加速剂 A：加速铜的生长，主要在TSV孔底吸附

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4）化学机械研磨（CMP），CVD淀积钽,氮化硅

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双镶嵌工艺：同时形成互连线和通孔填充

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