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接触孔形成工艺的目的是在所有硅的有源区形成金属接触。这层金属接触可以使硅和随后沉积的导电材料更加紧密地结合起来（如下图）。

硅片表面的沾污和氧化物被清洗掉后，会利用物理气相沉积 (PVD) 在硅片表面沉积一层金属，即在一个等离子的腔体中带电的氩离子轰击金属靶，释放出金属原子，使其沉积在硅片表面。

之后对硅片进行高温退火，金属和硅在高温下形成金属硅化物, 最后用化学方法刻蚀掉没有发生反应的金属，将金属的硅化物留在了硅表面。

• 高温退火，金属和硅在高温下形成金属硅化物。这一步高温退火在哪里进行？

接触（孔）形成工艺

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