alias: flow

CMOS集成电路一般采用(100)晶向的硅材料

成品

![[A=CMOS简单工艺 image 1.png]]
![[A=CMOS简单工艺 image 2.png]]

初始氧化=AAHMD.DDO10
淀积氮化硅层=AAHMD.DDN10
光刻1版，定义出N阱
反应离子刻蚀氮化硅层
N阱离子注入，注磷

![[A=CMOS简单工艺 image 3.png]]

去掉光刻胶
在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化
去掉氮化硅层
P阱离子注入，注硼

![[A=CMOS简单工艺 image 4.png]]

退火驱入，加第二第三次P阱
去掉N阱区的氧化层
![[A=CMOS简单工艺 image 5.png]]

生长一层薄氧化层
淀积一层氮化硅
光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来
反应离子刻蚀氮化硅

生长栅氧化层
淀积多晶硅
光刻多晶硅栅
刻蚀多晶硅栅

![[A=CMOS简单工艺 image 6.png]]

淀积氧化层
反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层
淀积难熔金属Ti或Co等
低温退火，形成C-47相的TiSi₂或CoSi
去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co
高温退火，形成低阻稳定的TiSi₂或CoSi₂

![[A=CMOS简单工艺 image 7.png]]

光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来
离子注入磷或砷，形成N管源漏区

光刻，利用光刻胶将NMOS区保护起来
离子注入硼，形成P管源漏区

![[A=CMOS简单工艺 image 8.png]]

化学气相淀积磷硅玻璃层
退火和致密
光刻接触孔版
反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔

![[A=CMOS简单工艺 image 9.png]]

淀积金属钨(W)，形成钨塞

![[A=CMOS简单工艺 image 10.png]]

长TiW ？？作用是什么？
淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等
光刻第一层金属版，定义出连线图形
反应离子刻蚀金属层，形成互连图形
![[A=CMOS简单工艺 image 11.png]]

化学气相淀积PETEOS
通过化学机械抛光进行平坦化
光刻穿通接触孔版
反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔

淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等
光刻第二层金属版，定义出连线图形
反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形

![[A=CMOS简单工艺 image 12.png]]

形成钝化层
在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅
光刻钝化版
刻蚀氮化硅，形成钝化图形
测试、封装，完成集成电路的制造工艺