alias: SiN

date: 2022-07-23 20:03
类型: 概念笔记,
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氮化硅的化学汽相淀积：中等温度(780～820℃)的LPCVD或低温(300℃) PECVD方法淀积 ^a479c3

Si3N4是一种在半导体器件及集成电路制作工艺中常见的薄膜，主要用作SiO2的刻蚀掩膜。由于Si3N4不易被氧所渗透，这层掩膜还可以在进行场氧化层制作时，作为防止晶片表面的活动区域被氧化的保护层。除了这种应用外，因为Si3N4对于碱金属离子的防堵能力也很好，且不易被水气分子所渗透，实验广泛地用作半导体器件集成电路的保护层。(最后一道是TF的PE-SIN，可能就是作为保护层)