alias: AP管

tag: 薄膜,炉管

AP-CVD ：常压化学气相沉积（Atmospheric Pressure CVD）

• 最早的CVD工艺、反应器设计简单
• APCVD发生在质量输运限制区域
• 允许高的淀积速度, 1000A／min，一般用于厚膜沉积
• APCVD的主要缺点是颗粒的形成
• 产量高、均匀性好，可用于大尺寸硅片
• 主要用于沉积SiO2和掺杂的SiO2
• 气体消耗高，需要经常清洁反应腔
• 沉积膜通常台阶覆盖能力差。

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