alias: latch-up

date: 2022-07-23 19:00
类型: 概念笔记
tags: 效应

来源：闩锁效应（Latch-up）详解 - 知乎
双极型晶体管的放大信号工作原理 - 简书
CMOS闩锁效应及版图解决办法_哔哩哔哩_bilibili

![[闩锁效应 image 1.jpg]]

![[闩锁效应 image 2.jpg]]

这张图其实就是[[1.1.1-1.1.3#^25caae]]，本质上就是电流放大型的双极型工艺，双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）

BJT为三端器件，包括：基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter）。其中集电区和基区之间有集电结，发射区和基区之间有发射结。

在制造工艺上，发射区掺杂浓度最高，用于发射载流子；基区很薄，而且掺杂浓度最低，一般为几微米到几十微米，用于传送和控制载流子；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大，用于收集载流子。

BJT本质是电流放大器件，用很小的基极电流 ，就能控制较大的集电极电流 ，从而实现放大作用。BJT处于放大状态的条件：发射结正偏，集电结反偏（对于NPN和PNP都适用）

此时载流子动态过程如下：

(i)因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成扩散电流 IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成电流 IEP ，但其数量小，可忽略。所以发射极电流 IE≈IEN （图2a）。

(ii)发射区的电子注入基区后，变成少数载流子。少部分遇到空穴复合掉，形成 IBN 。所以基极电流 IB≈IBN ，大部分到达了集电极的边缘。

(iii)因为集电极反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流 ICN 。另外，集电结区的少子会形成漂移电流 ICBO 。

![[闩锁效应 image 3.jpg]]

在实际的CMOS器件中，
P（PMOS的Source/Drain）-N(PMOS的N well)—-P(P sub)
N(PMOS的N well)—-P(P sub)—-N(NMOS的Source/Drain )形成两个BJT