alias: 锗化硅,SiGe

在SiGe 材料中随着Ge成分的增加，其禁带宽度从硅的1.17电子伏递减到锗的0.67电子伏，能带宽度的变化降低了材料的电阻率。用SiGe 材料制成的晶体管在射频领域（fT>50 GHz)显示了极强的竞争优势。
例如fT＝25 GHz晶体管
硅要60微安电流
SiGe要20微安电流
用SiGe 材料制成的晶体管和RF电路有极低的噪声。