alias: POLY,poly,非晶硅

date: 2022-07-23 20:04
类型: 概念笔记
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多晶硅的化学汽相淀积: 利用多晶硅替代金属铝作为MOS器件的栅极是MOS集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使MOS集成电路的集成度得到很大提高。 ^5c4072

近代的CMOS栅极多半使用多晶硅制作。和金属栅极比起来，多晶硅的优点在于对温度的忍受范围较大，使得制造过程中，离子（ion implantation）后的退火（anneal）制程能更加成功。此外，更可以让在定义栅极区域时使用自我校准（self-align）的方式，这能让栅极的面积缩小，进一步降低杂散电容（stray capacitance）。2004年后，又有一些新的研究开始使用金属栅极，不过大部分的制程还是以多晶硅栅极为主。关于栅极结构的改良，还有很多研究集中在使用不同的栅极氧化层材料来取代二氧化硅，例如使用高介电系数介电材料（high-K dielectric），目的在于降低栅极漏电流（leakage current）