alias: photo,litho,光刻,黄光

date: 2022-07-23 19:42
类型: 项目笔记
tags: 黄光

![[A=工艺=黄光 image 1.png]]

定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术

种类：[[A=PH=紫外线曝光工艺|接触式曝光]]，[[A=PH=紫外线曝光工艺|接近式曝光]]，[[A=PH=紫外线曝光工艺|投影式曝光]]

光刻的目的: 在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。

目前集成电路中的光刻技术已经达到0.13μm，已接近光学光刻的极限。

替代[[A=PH=紫外线曝光工艺|光学光刻]]的主要有[[A=PH=X射线曝光|X射线光刻]]和[[A=PH=电子束直写式曝光|电子束光刻]]。

[[A=PH=ULSI对光刻的基本要求]]
[[A=ET=ULSI对图形转移的要求]]
[[A=PH=黄光工艺步骤]]

[[A=PH=掩膜板]]
[[A=PH=光刻胶]]
[[A=PH=光刻胶的对比度]]
[[A=PH=光刻胶的光敏度和稳定性]]
[[A=PH=光刻胶的黏着力]]
[[A=PH=光刻分辨率]]
[[A=PH=光刻胶的黏着力]]

[[A=PH=多层光刻胶工艺]]
[[A=PH=抗反射涂层工艺]]
[[A=PH=紫外线曝光工艺]]

曝光光源与其解像度大致有如下关系