一、IGBT模块损耗分析：
IGBT模块的构成一般为IGBT部和FWD（反向二级管）部，它们各自的损耗的合计即为IGBT模块整体的损耗。功率器件工作时会产生功率损耗，变频器功率模块的损耗主要由IGBT 和快恢复二极管两个部分组成，且分别包括通态损耗和开关损耗。

	IGBT模块简易热仿真计算辅助工具

无论IGBT还是FWD的通态损耗均可以通过输出特性计算。
开关损耗可以通过开关特性与集电极电流特性之间的关系计算。
结温Tj一般采用IGBT允许的最高值。
二、变频器特性分析：
理论分析前提：
1、输出电流为理想正弦波；
2、通过正弦波和内部三角波比较产生PWM波
3、变频器拓扑应当是正弦波电流输出三相PWM控制变频器
变频器电压电流关系为：三、变频器通态损耗计算：
填入模块相关工作条件信息：3.1 认识开关管的通态阻抗？
由于IGBT的Vce和Ic的关系是非线性关系，导致IGBT的损耗非常难以精确计算。
IGBT的生产厂家一般会提供下面的曲线，可以整理为下图右边的示意图：根据上图，选择实际驱动电压所在的曲线，计算出IGBT的通态等效电阻：
该曲线电阻的计算公式是：rCE=(2V-1V)/(28.5A-2A)。
可以得到IGBT的通态等效阻抗约为：
rCE = 0.001Ω
3.2 选择饱和压降为多少：
再查IGBT的Datasheet，会提供下面的饱和压降信息：以25℃时的状态为例，取其典型值为：
VCE0 = 2.1V （从上图也可以看出IGBT的饱和压降是随着温度而升高的，温度越高，其导通损耗更大）
3.3 了解到IGBT工作时流过的电流有效值为多少：
假如知道系统的输出功率为：
Pout = 500KW
同时知道系统输入的母线电压为：
Vbus = 450V
考虑系统设计的工作效率，因此则可以取流过单个IGBT的电流为：
Ic = 267.3A
3.4 设置IGBT上电压电流波形的相位差值：
本值为流经IGBT的电流Ic与IGBT的Vce电压之间的相位差。理想模型为相差180度，此时IGBT的损耗主要为导通损耗。即，当IGBT导通时，电流流经IGBT；当IGBT关断时，IGBT即截止，无电流流过。实际由于导通延迟及寄生参数等诸多原因影响，可能正负偏差若干角度。
φ = 180°（典型值在180°左右）
接下来定义调制比：
M = 0.8 （典型值在≤1）
3.5 计算IGBT的导通损耗：
实际导通损耗的计算是非常复杂的一个计算公式，由于软件功能限制，在此给出一个简化计算结果，仅供参考。
Pigbton = 165.74W