未加电压时NMOS
栅极和源极，等效于一个电容
栅极不加电压情况，DS之间呈现二极管特性
Uth对同一型号MOS并不固定，作为开关时，要高出max值几伏
具体可见datashet Typical Output Characters
MOS耗散功率Pd：MOS管所能承受的最大电源输出功率 超过时，MOS管将损坏
给的数值为管芯温度25℃时的量，但在此功率下MOS的管芯温度一般不可能低于该值，故计算过流最好用热阻。

高端NMOS驱动问题
注意Vgs取值范围 栅源之间添加TVS保护
MOSFET驱动芯片 TC4420，TC4427，TC4422，反相TC4426,TC4421 高速 DS0026
隔离驱动方案
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上端NMOS换成PMOS
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SUM
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电子负载
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选用MOS参数为
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MOS驱动方案

三极管

NPN+PNP驱动PMOS，非图腾柱，NPN驱动PNP，PNP驱动PMOS