MOS

场效应管（FET）是单极型晶体管，场效应管在大类上分为结型场效应管（JFET）和金属氧化物场效应管（MOSFET）。结型场效应管工作电流很小，适合于模拟信号放大，分为N沟道和P沟道两种。MOSFET根据其工作电流和工作电压区分，一般分为小信号管和功率管（Power MOSFET）。


在MOSFET的驱动电路回路中，会存在着各种分布电感Lp，它们与MOSFET的Cgd、Cgs会形成谐振电路。它们会对开关驱动信号中的高频谐波分量产生谐振，进而引起功率管输出电压的波动。在MOS管的栅极串联电阻Rg，可以增大MOS管驱动回路中的损耗，降低谐振回路的Q值，使得电感，电容谐振现象尽快衰减。
在MOS管栅极上所串联的电阻需要根据具体的MOS管和电路分布杂散电感来确定，如果它的取值小了，就会引起输出振铃，如果大了就会增加MOS管的开关过渡时间，从而增加功耗。这其中存在一个最佳串联电阻Rg，使得驱动回路恰好处在临界阻尼状态，此时MOS管驱动信号处在小的震荡和快速开关状态的折中。