存储系统
主存简单模型和寻址
- 主存储器
读操作：
写操作：
- 红线并行控制存储元
- 绿线控制存储元传入传出（在写入时传入MDR）
片选线：高电平有效
低电平有效
读控制线
- 写控制线
读写控制线可能是一根也可能是两根
- MAR 对应 地址线
- MDR 对应 数据线
- 按字寻址：高位可以作组号
- 存放字：（高位—>低位）
大端：从左往右，高位字节为字地址
小端：从右往左，低位字节为字地址
RAM
- DRAM 读完之后不能马上离开，需要充电。
- SRAM 分列后分组，地址不是长度相等的两段，需要把一整段地址放在地址线上
- DRAM 地址是长度是相等的两段
- CS 代表 片选线 （上面 —— 代表低电平有效）
- 恢复时间保证过程正确性
ROM
存储器总结
- 直接存取：选中一块小区域，然后顺序存取
主存与CPU的连接
高速缓冲存储器—局部性原理性能分析
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