一、硬件学习之路
- 数模电的基础知识
- 学习基础元器件
- 郭天祥单片机
- 学习功能电路
- 朱有鹏嵌入式
二、硬件产品设计(开发)流程
1. 项目立项
1. 电阻
上拉电阻与下拉电阻的选择
从抗扰角度,信号端口优先选上拉电阻,在待机状态下,源端输入常为高阻态,如果没有上拉电阻或下拉电阻,输入导线呈现天线效应,一旦管脚受到辐射干扰,管脚输入状态极易发生变化。所以,肯定要加电阻。 加了上拉电阻后,在平常状态下,输入表现为高电平,辐射干扰进来后,上拉电阻会将输入端钳位在高电平,如果辐射干扰强,超过了Vcc的电平,导线上的高电平干扰会通过上拉电阻泻放到Vcc上,只会发生High——Higher的变化,不会产生误触发。
2. 电容
电容特性:隔直流通交流。
同时,无极性电容在交流电路中存在一定的阻抗(容抗),此特性可在交流电中用于降压。
选型
电感与磁珠的联系与区别
- 电感是储能元件,磁珠是能量转换(消耗)器件
- 电感多用于电源滤波回路,磁珠多用于信号回路,用于EMC对策
- 磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电感这方面主要侧重于抑制传导性干扰,两者可用于处理EMC、EMI问题。
4. 二极管
- 特性:单向导电性(正向导通,反向截止)
理想状态下,当二极管两端,加很大的反向电压,二极管将立刻截止,电路中只有很小的反向电流。 实际情况,二极管不会立即截止,而是先由正向的IF变到一个很大的反向电流:IR = VR / RL ,这个电流维持一段时间ts后才开始逐渐下降,再经过tt 后,下降到一个很小的数值0.1 IR 此时,二极管才进入到反向截止状态。
- 肖特基二极管
特点:
- 反向恢复时间非常短,ns级别
- 正向导通压降非常低: 0.3 - 0.5 V左右
- 漏电流较大、反向击穿电压比较低
5. 三极管
- 类型:NPN与PNP型, 电流控制型
NPN管放大区
- 集电极电压>基极电压>发射极电压(Vc > Vb > Ve)
截止区
- 发射极和集电极都要反偏(Vb < Vc ,Vb < Ve)
饱和区
- 发射极和集电极都要正偏(Vce < Vbe)