挑选产品只需要了解、横比产品的标称参数。
要看懂评测得了解相关的测量工具。
玩超频得学习内存选址过程，理解时序的含义，从硬件到软件，设置合理目标，科学超频。
硬件结构 - 最小单元多大
请求调页的过程 - 页表结构 - 快表结构 https://mp.weixin.qq.com/s/FaV5cy9IeooAuVzTwsOfhA
页面置换算法 - 换页次数 - 命中率 -
缓存行填充

标称参数

光威奕PRO 的标称参数是 3000Mhz@1.35V CL16-18-18-38

频率

表示内存传输数据的速度，越大越好。
核心频率 = 等效频率（贴牌频率） / 2
在光威的例子中，核心频率是 1500Mhz。

时序

表示延迟，越小越好。对于选择产品而言，只需关注 CL16 的这个16，越小越好。

产品

笔记本内存可以选择的不多，因此可玩性也小。
光威奕PRO 3000Mhz@1.35V CL16-18-18-38
紫光 3000Mhz@1.35V CL16-18-18-38
三星 3000Mhz@1.35V CL16-18-18-38

测量

AIAD64

Cache & Memory Benchmark 可以看到缓存、内存的读写速度、拷贝速度、延迟

内存寻址过程

  1. 内存控制器收到 CPU 发出的指令
  2. 发送 RAS，寻址数据所在行。内存开始预充电。
  3. 准备下一项工作，此步骤称为 RCD
  4. 发送 CAS，寻址数据所在列
  5. 读取数据


RAS Row Address Strobe，行地址选通脉冲
RCD RAS to CAS Deplay，内存行地址传输到列地址的延迟
CAS Column Address Strobe，列地址选通脉冲
RP RAS Percharge Time，内存执行 RAS 后预充电，以执行下一个 RAS。充电和后续步骤并行

现在根据寻址过程，正式认识时序 tCAS-tRCD-tRP-tRAS：
tCAS 俗称CL值，可表示为 tCL。即步骤4的耗时
tRCD RCD耗时，即步骤3的耗时
tRP RP耗时，tRP 越小，内存在不同行之间切换的速度越快
tRAS 从接受指令到读取数据的耗时，即步骤1-5的耗时

超频

硬件决定上限，软件决定下限。调优内存关注3个指标：

  1. 实际频率
  2. 带宽效率 = 实际带宽 / 带宽理论值 100%，其中带宽理论值 = 频率 通道数 * 64 / 8
  3. 单字读延迟时间α = 1 / 核心频率 tCAS 1000 = tCL * 2000 / 标称频率
    在光威的例子中，α 是 10.67ns。

    硬件

    这部分是经验之谈，超频真正考验的是主机综合电信号完整度和强度，涉及PCB设计、制造等方面。

    CPU

    IMC 体质只能上机测试，一般 intel 8代 CPU 都能支持 4500 MHz 频率。

    主板

    内存插槽 2 DIMM > 4 DIMM
    走线 T-topology 4根内存 > 2根内存
    走线 Daisy-chain 2根内存 > 4根内存

    内存

    颗粒 三星B-die > 镁光C9BJZ > 海力士DJR > 海力士CJR > 镁光D9VPP > 海力士JJR
    Rank 2根好于4根，单面好于双面
    安装 从外到里依次安装
    散热 DIMM电压 ≥ 1.5V 需要加强散热

    软件

    主要调整电压、时序、小参。我的NUC主板没啥可调，日后有超频的需要再参考文献。

    参考文献