一、SLC、MLC、TLC、QLC之区别是什么？从使用寿命和价格上比较。SLC是企业级服务器用的，MLC已经逐渐退出市场，目前TLC是普通用户主流颗粒。

    QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比

    一
    SLC（单层存储单元）
    全称是Single-Level Cell，单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，SLC达到1bit/cell，速度快寿命最长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），写入数据的时候电压变化区间小，P/E寿命较长，理论擦写次数在10万次以上，但是由于成本最高，所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。
    二
    MLC（双层存储单元）
    全称是Multi-Level Cell，使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，MLC达到2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在约3000-1万次或3000-5000次擦写寿命左右，速度一般寿命一般，价格一般，但是对于消费级来说也可以接受，多用于家用级高端产品中。
    三
    TLC（三层存储单元）
    全称是Trinary-Level Cell，三层式存储单元，是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，由于存储密度较高，所以容量理论上是MLC的1.5倍，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命最短，成本较低，但是P/E寿命相对要低一些，理论擦写次数在1000-3000次或500-1000次不等，是目前市面上主流的闪存颗粒。
    四
    QLC（四层存储单元）
    全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，即4bits/cell，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是P/E寿命更短，理论擦写次数仅150次。